Cell：“升级版”TMS有望用药帕金森等多种神经疾病

去年年底，康乃尔大学（MIT）的神经科学家蔡立慧（Li-Huei Tsai）领导的数据分析人小组在Nature上公开发表的一项数据分析引起广泛瞩目，他们来进行特定频带闪日光的LED点灯，尽量减少了阿尔茨海默小儿基本概念大鼠脑干细胞当中的β-淀粉样蛋白棕，这种无创、更易开展的一原理为阿尔茨海默小儿的小儿患增辟了一个更进一步。昨日，该数据分析人小组与MIT的合作伙伴者和小号以色列女执事该当中心（BIDMC）的数据分析工作人员合作伙伴，在Cell上又公开发表了一项意味著使用小儿患帕金森小儿等神经小儿因的无创小儿患一原理，不过，这一次他们不是用“日光”，而是用“和光”。锥状脑细胞激发（Deep brain stimulation，DBS）是一种在脑细胞内特定小分子替换成阳极同步进行和光激发，从而达到小儿患用以一种新一原理。比如，对血清素细胞核的激发，可以用来小儿患帕金森小儿。但是，这种一原理需要开启颈椎并替换成阳极，这意味著引起一些并发症，对病变而言是一项存在风险的比较简单移植手术。锥状脑细胞激发需在脑干细胞内替换成阳极有从未什么一原理必须非残余固定式地同步进行锥状脑细胞激发呢？MIT和BIDMC的数据分析工作人员合作伙伴，提出了一种新一原理——通过置放头皮上的阳极就能激发脑干细胞大海的区外。这种一原理可以下降锥状脑细胞激发的风险和开销，更易于病变应使用。此外，除了帕金森小儿，医生也用锥状脑细胞激发小儿患一些强迫症，癫痫和躁郁症等脑细胞部小儿因。数据分析工作人员指出，新的无创一原理可以使锥状脑细胞激发更适使用小儿患其他小儿因。锥状脑细胞激发使用小儿患帕金森小儿时，阳极通常摆置放在脑干细胞锥状的血清素细胞核内，这是一个位于丘脑细胞左侧的镜片构件。对许多帕金森小儿病变而言，在该脑细胞区传导和光脉冲可以改善呕吐，但替换成阳极的移植手术才会带来脑细胞出血和感染者等风险。一些数据分析工作人员竭力应使用经颅磁性激发（TMS，该核心技术被FDA批准使用小儿患躁郁症）等核心技术无创激发脑干细胞。由于TMS总括医学影像的，它也被使用短时间的生命人脑以数据分析认知、心灵、好像和青年运动的科技领域。然而，应使用TMS激发锥状脑细胞构件也意味著致使较厚区外被强烈激发，多个脑干细胞网络服务的被相应。两种频带并不大差异的高频和光路在脑干细胞锥状彼此间抵消，造成一段低频和光路 图片来源：Cell1、高频和光路在脑干细胞锥状彼此间作用涡轮机神经系统数据分析工作人员来进行一种取名temporal interference的情况，通过摆置放在头皮上的阳极，向脑干细胞大海传导和光激发。这种一原理让移到脑细胞外的阳极造成两个高频和光路。这些和光路频带太高以至于无法涡轮机神经系统。但是，这些和光路必须彼此间干扰，当它们在脑细胞部大海相交时，就能在神经系统内部造成小部份段低频和光路。这种低频和光路可以涡轮机神经系统的和光社交活动，而高频和光路从未冲击经过的区域内其组织。通过相应这些和光路的频带并彻底改变阳极的数量和方位，数据分析工作人员可以操控接收低频激发的脑细胞其组织的大小和方位。他们可以上弹脑干细胞大海的方位，而不冲击任何区域内的脑细胞构件。他们也可以通过彻底改变和光路来便是激发的方位而无需旋转阳极。通过这种方固定式则激发脑干细胞锥状的小分子，既必须使用小儿患，又能鼓励科技领域数据分析。本数据分析的收发作者，MIT媒体Laboratory和McGovern脑细胞数据分析所的成员 Edward S. Boyden说是：“你可以绕过上层神经系统直达深层小分子，不过目前生活空间亮度还比不上锥状脑细胞激发。”2、激发脑干细胞锥状抑制动物行为MIT皮考尔求学与记忆数据分析所所长蔡立慧以及她Laboratory的数据分析工作人员在大鼠当中测试了这种核心技术，见到他们必须激发脑干细胞大海的小区外，包括海马。他们也必须移往激发肺脏，激活青年运动皮层的各不相同区外，并抑制大鼠青年运动其后肢，耳朵或胡须。“我们可以极为精准地上弹一个脑干细胞区外，不仅仅是引起神经系统激活，而且是行为加成，” 蔡立慧指出，“我忽视这总括常令人兴奋的，因为帕金森小儿和其他青年运动障碍似乎源自一个极为特定的脑干细胞区外，如果你必须上弹小分子，就有意味著挽救它。”在海马实验当中，这种激发一原理必须成功绕开位于颈椎较厚的阳极和脑细胞内的小分子之间的皮层区外。并且，脑干细胞的其他肺脏也从未受到任何有害冲击。去年，蔡立慧的数据分析人小组应使用LED日光诱导特定频带的脑细胞和光波从而尽量减少大鼠脑细胞当中β淀粉样白棕。她现在计划探索这种特性的和光激发是否也必须造成一种类似的有益脑细胞和光波。许多现代出处：Nir Grossman. et al. Noninvasive Deep Brain Stimulation via Temporally Interfering Electric Fields.Cell